Исследователи из Германии и Японии изучили соединение, которое может послужить основой для будущих хранилищ данных с высочайшей плотностью записи. В эксперименте отдельные молекулы металлокомплекса выборочно переключались с помощью электрических импульсов между проводящим ферромагнитным состоянием и диэлектрическим парамагнитным.
Изменение состояния отдельных молекул лежит в основе идеи создания спинтронных устройств, таких, как хранилища данных с плотностью записи один бит на молекулу. Для успешной реализации этой концепции необходимо иметь возможность не только избирательно и обратимо менять свойства молекул, но и надёжно регистрировать процесс переключения. Поэтому способность одновременно менять проводимость и собственный магнитный момент также является ключевой особенностью перспективных соединений.
Не так давно физики научились управлять магнитным состоянием отдельных молекул ортоферрита тербия в плотном слое с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Поиски веществ, демонстрирующих электронно-индуцированный спиновой переход, продолжаются, и главной задачей становится отобрать среди кандидатов оптимальные.
Одна из проблем заключается в том, что переключение между различными состояниями сопровождается изменениями пространственной структуры молекул. Поэтому от идеального соединения требуется соблюдать баланс между лёгкостью изменения магнитных свойств и конформационной стабильностью.
Полученные результаты представляют не только значимый шаг в развитии квантовой физики, но и служат хорошей основой для создания реальных устройств.